图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 65 mOhm @ 15A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 14µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 12nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 410pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 43W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 包装 | 8TDSON EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| RDS -于 | 65@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 2 ns |
| 典型上升时间 | 3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 典型下降时间 | 7 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 43W |
| 匹配代码 | IPG20N06S2L-65 |
| R（ THJC ） | 3.5K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 12nC |
| 封装 | REEL |
| LLRDS （上） | 0.079Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS （上）在 | 5V |
| 我（D ） | 20A |
| V（ DS ） | 55V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.065Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 14µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8-4 (5.15x6.15) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 65 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 43W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 410pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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